請問各位顆粒達人，KVR16S11/4 (16顆粒)和 KVR16S11S8/4 (8顆粒)差別在哪裡?
網路上有人說前者速度較快，是真的嗎?
我看金士頓的官方pdf上有差別的就是2R*8和1R*8；Refresh to Active/Refresh Command Time ( tRFCmin )，一個是160ns，一個是260ns；還有就是一個是sixteen 256M * 8-bit，一個是eight 512M * 8-bit。
http://www.kingston.com/dataSheets/KVR16S11_4.pdf
http://www.kingston.com/dataSheets/KVR16S11S8_4.pdf
那到底這些數據代表什麼? 會對速度造成差異嗎?

謝謝~

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除非你要超頻，才需要計較到記憶體顆粒規格…
不然只要兩條的表定速度 ( DDR3-1333, DDR3-1600...) 一樣，
就沒問題了。

不過要跑雙通道的話，當然顆粒數、廠牌、出廠流水號等越接近越好！

感謝樓上藍波大，不過我是想知道那些術語什麼意思而已XD

有高人可以指點一下嗎? QAQ

我看金士頓的官方pdf上有差別的就是2R*8和1R*8；Refresh to Active/Refresh Command Time ( tRFCmin )，一個是160ns，一個是260ns；還有就是一個是sixteen 256M * 8-bit，一個是eight 512M * 8-bit。


記憶體，DRAM ( Dynamic Random Access Memory )
歸類是屬於「揮發性記憶體」，意思是一沒電資料就存不住了。
性質上是類似電容，簡單來講可以看作每個 bit 就像一個小電容器，
充飽電就是 1，沒電就是代表 0
而電容的性質是會自動衰減放電的（你應該沒看過充飽電後永不放電的充電電池吧？）
所以自然會需要週期性的刷新一次，確保資料沒因放電受到破壞；
因為，那個奈秒就是表示刷新週期時間。