【硬體】關於8RDA+



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Joe Lin
2003-03-09, 08:30 PM
請問8RDA+裡記憶體的設定選項各代表什麼意思呢?比如說T(RAS)、T(RCD)、T(RP),當然那個CAS LATENCY我是了解了啦,因為都無法開TURBO也無法設6-2-2,後來就亂設了想說可能它是不想要我低於2.5吧,因為只能CL=2於是就設成3-3-3 CL=2.5還很穩定說,我這樣設跟7-3-3 CL=2.5有什麼差別嗎,還是只有CL數值影響比較大啊?

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tnsky
2003-03-09, 08:44 PM
5-2-2-2是最佳化

Joe Lin
2003-03-09, 10:30 PM
最初由 tnsky 發表
5-2-2-2是最佳化

我得意思是那是為啥啊,還有那我現在的3-3-3 CL=2.5會不會比較好啊

s900221
2003-03-09, 10:45 PM
Row Cycle Time(TRC列週期時間)
記憶體庫最低啟動時間
RAS Precharge(TRPRAS預充電時間)
在讀取記憶體區塊後,因為區塊內的電量不足以維持資料整合性,所以資料通常會流失。為了確保區塊內的存放資料正確性,資料會再寫回該區塊中。通常SDRAM需要2或3個cycle的預充電時間完成該動作
RAS Active Time(TRASRAS啟動時間)
存取開放頁框的未定址列區塊前,需要的延遲時間(由啟動到預充電的時間)
CAS Latency(CLCAS延遲時間)
在記憶體定址後,系統必須要等待欄位址訊號(Column Address Strobe,CAS)以開始進行資料傳輸。依照記憶體的品質不同,可以設定為2或2.5個cycle(只有使用DDR記憶體才可以指定0.5 cycle單位)。目前大部分的PC2100 DDR SDRAM都沒辦法在CL2模式下跑
RAS-to-CAS Delay(TRCDRAS到CAS傳輸延遲)
記憶體位址資訊(哪個區塊要被讀取)的傳輸步驟有二:首先先傳送列位址(row address),接著是欄位址(column address)。兩者中間,系統會暫停2或3個cycle來分隔兩個訊號
資料轉取自 http://www.big5.tomshardware.com/mainboard/01q3/010808/amd_760-05.html
你可以去看看...也許會對你在設定上有某種程度的參考貢獻

s900221
2003-03-09, 10:57 PM
哎呀...不能修改
那篇文章有點老了~所以
目前大部分的PC2100 DDR SDRAM都沒辦法在CL2模式下跑
這句話很顯然不適用於現在的狀況
RAS Precharge(TRPRAS預充電時間)
在讀取記憶體區塊後,因為區塊內的電量不足以維持資料整合性,所以資料通常會流失...
我想這可能跟我在數位電子學學到的更新(Refresh)有點關係
更新是說,因為DRAM主要是靠電容器來儲存資料
而因為電容器會有漏電現象,所以邏輯"1"會慢慢放電成0
為了避免資料錯誤,所以每隔一段時間就會把資料讀出來(未送至外界)重新寫入一次
且因為讀出時DRAM會將原本儲存在電容上的電荷移動到數據線
所以原本的資料會被破壞,就是說DRAM元件為破壞性讀出
為了保持資料的正確性,讀出時也必須同時執行更新
這也是為什麼DRAM叫做DRAM(Dynamic Random Access Memory)動態隨機存取記憶體
不同於SRAM(Static RAM)靜態隨機存取記憶體是非破壞性讀出元件
讀取的時候原來的資料不會因此被破壞,不必進行更新動作...
不過SRAM成本高昂,耗電量跟體積都較大,容量卻比較小
所以通常只因為其高速優點而被拿來作為Cache快取記憶體...
像是CPU上面打的L1/L2 Cache